碳化硅衬底和碳化硅晶片的区别

所用的材质不同。

碳化硅是第三代半导体材料，作为宽禁带半导体材料的一种，与硅的主要差别在禁带宽度上，这让同性能的碳化硅器件尺寸缩小到硅基的十分之一，能量损失减少了四分之三，成为制备高压及高频器件新的衬底材料。

碳化硅器件具备广阔的应用领域和市场空间，未来几年市场规模年化复合增速约 30%，乐观预计复合增速达35%，未来1~2恰处于爆兵期。

这里先引入一个区分，碳化硅衬底分为导电型与半绝缘型。通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层，制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT 等功率器件，主要应用领域包括电动汽车、光伏、轨道交通、智能电网等。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成微波射频器件，主要应用在通讯等领域。

碳化硅衬底和碳化硅晶片的区别

性质碳化硅的硬度很大，具有优良的导热和导电性能，高温时能抗氧化。用途(1)作为磨料，可用来做磨具，如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。(2)作为冶金。

目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体。。长期以来由于衬底单晶没有解决，异质外延缺陷密度相当高，因为氮化镓极性太。

以碳化硅为衬底的外延晶片的外延层表面也对其衬底的。克服了现有技术中的不足，目前的碳化硅晶片均为单面。