湿法处理样品的溶剂是

磷酸刻蚀液由纯磷酸和去离子水组成，工作温度为160摄氏度。主要功能是用来刻蚀氮化硅膜及其下面的氧化膜。其对氮化硅膜的刻蚀速率是55A/Min，对氧化膜的刻蚀速率是1.7-10A/Min。该刻蚀液的反应速率主要取决于反应温度和溶液中水的含量。

其反应机理如下：

Si3N4 6H2O----->3SiO2 4NH3 （需要用H3PO4作催化剂） 晶圆在磷酸刻蚀液反应槽里反应后必须被传送到热的去离子水槽里进行清洗，否则易受到热应力的破坏而造成破片。