怎样由多晶硅制备单晶硅

将多晶硅料放在坩埚中，加热后将融融态硅提拉出来。制备方法：将高纯多晶硅放入高纯石英坩埚中，在硅单晶炉内熔化然后用一根固定在籽晶轴上的籽晶插入溶体表面，待籽晶与熔体熔合后，慢慢向上拉籽晶，晶体便在籽晶下端生长。特点：CZ法较容易及较低成本增加晶圆的尺寸，以吻合微电子元件制造业要求大尺寸、高纯度、高生产率的趋向。含氧量高。

以高纯多晶硅为原料，制成棒状，并将多晶硅棒垂直固定，在多晶硅棒的下端放置具有一定晶相的单晶硅，作为单晶生长的的籽晶，其晶相一般为<111>或<100>，然后在真空或惰性气体下，利用高频感应线圈加热多晶棒，使多晶硅棒部分区域形成熔区，并依靠熔区的表面张力保持多晶硅棒的平衡和晶体生长的顺利进行。

晶体生长首先从多晶硅棒和籽晶的结合处开始，多晶硅棒和籽晶以一定的速度做相反方向的运动，熔区从下端沿着多晶硅棒缓慢向上端移动，使多晶硅逐步转变为单晶硅。